原先的LbForth是在DOS-Box上執行，在RAM上執行且記憶體空間完全獨立。
有數個功能要修改：
1 . 記憶體從矩陣改成指標，這樣才能做MCU內的配置。包括生成字典的地方才可以控制。
2 . 記憶體空間管理，因為寫回的記憶體若是Flash區，要轉去Flash燒寫函式去執行。其他讀寫一樣。
3 . 屬性標記修改，因為NOR Flash清空時是0xFF，一般RAM清空是0，且Flash只能單向設定(1轉0)，所以內容要反過來，判定程式也要反過來。
實作時前二項修改很容易。
再來是屬性，它有二個flag在用，各佔一個bit，剩下的bit則是數值，標示名字字串長度，用於尋找字。
一個flag是immediate，它是編譯模式下特權標記，標記設定後的字在編譯模式下是執行，而非媥譯，用來形成控制結構用的。
一個flag是hide，它是將此字標記為廢字，不執行也不會進查找。這個設計很奇怪的和Flash寫入程序很合。因為編譯時沒有做全文章分析，有可能會出現程式中有錯，但寫了一大堆的字進入Flash內，但它不完全，所以不可以執行及查找，故需要這個flag去標記。用在Flash上面可以先留下1(設定)，在新字確定完成時再回來清除(設成0)。
又剛好STM32L系列及STM32F系列其Flash動作相反。故要修改成可以設定反相又可以運作的程式。
改完後放入MCU，不會動。因為Flash Erase是有規則的，可以Erase大塊，不能Erase單元，但Write可以寫入一個單元。變成又要加入Flash邊界檢知，在字典長到下一個sector時，發動Erase。
然後，還是不行。發現Flash不能只改一個bit，這個和個人認知有出入。測試一下動作，發現對Flash寫入單元可以做的只有二個動作: 寫入資料，寫入0(全清)。
這下頭大了，屬性欄位要改，若是要可以用，immediate及hide要分出來不能和字串長度放一起。
這下動到字典管理了。要符合，變成用資料的值來做為flag應用。變成Erase後的值是hide，若是沒改，新字就是廢字。若要是有用字就要寫入值(非清除)，若是為immediate設定，則再加寫0(只能加寫成全清)。
改完後，還有一些Flash上小問題，再以程式解決。然後總算看到去執行字典生成的高階字編譯。又出問題了。
高階字的空值預設是0，但Nor-Flash不是，所以要去改高階指令。這下又要去理解Forth編譯的細節，硬著頭皮上了。
改完後，真的弄清楚了整個Forth語言系統。
總算在STM32F系列上執行了。不過事情沒有完，移去STM32L系列又掛掉。因為它的Flash除了是0寫成0xFF外，又不能亂寫有ECC在，二次寫入是不行的。看來只能改用在QSPI Flash上看可不可以。
